セミナーの特徴

講師紹介

プログラム

• １．薄膜作製プロセス概論とALD活用への展開

  • 薄膜の種類と用途
  • 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス
  • ALD基礎としてのCVD（Chemical Vapor Deposition）プロセス速度論とCVD活用方法
  • 半導体集積回路（ULSI）の微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ

• ２．ALDプロセスの概要と特徴

  • ALD（Atomic Layer Deposition）プロセスの概要と製膜特性
  • ALDプロセスの歴史的発展
  • ALDプロセスの応用事例（最先端ULSI，DRAM，3D NAND等）
  • ALD装置形態と装置・材料市場
  • ALD製膜可能な材料と原料ガス
  • ALE（Atomic Layer Etching）（原子層エッチング）
  • AS（Area Selective）-ALD（選択成長）

• ３．ALDプロセスの理想と現実，最適化方針

  • ALD Windowとは？
  • 物理吸着の影響と対策
  • 反応律速の影響と対策
  • 原料ガス熱分解の影響と対策
  • 原料ガス脱離の影響と対策

• ４．ALDプロセスの高スループット化と課題

  • GPC（Growth per Cycle）とCT（Cycle Time）の最適化
  • GPCに対する原料ガス吸着の立体障害効果
  • ALD理想特性を発現させるための条件（蒸気圧と吸着特性）

• ５．理想的な原料ガス開発の指針

  • 蒸気圧推算の基礎
  • COSMO-SAC法による蒸気圧推算
  • COSMO-SAC法の修正と原料ガス蒸気圧推算結果
  • ニューラルネットワークポテンシャルを利用した原子レベルシミュレーションによる原料ガス吸着特性の予測

• ６．QCMを用いたガス吸着特性の評価

  • QCM（Quartz Crystal Microbalance）を用いたALDその場観察
  • QCM（Quartz Crystal Microbalance）の基礎
  • QCM測定の高精度化・高速化
  • QCMによるTMA（トリメチルアルミニウム）の吸着特性評価（実例紹介）

• ７．ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長

  • 初期核発生とインキュベーションサイクル
  • インキュベーションサイクルと選択成長
  • 光反射を利用した初期核発生・成長のその場観察，表面処理の影響

• ８．ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用

  • ULSI金属多層配線の課題と対策
  • 高信頼性多層配線形成へのASD（Area Selective Deposition）の活用
  • Co薄膜のALD成長（原料ガス吸着特性と表面反応）
  • 高選択性ASD実現の基本方針
  • 表面処理とALEを活用した高選択性Co-ASDプロセス
  • Cu密着層・バリヤ層としてのCoW膜ALD合成

• ９．ALD関連学会の情報

  • 応用物理学会
  • ALD/ALE2025国際学会（2025年6月開催）

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