1. 次世代リソグラフィ技術の概要

• 1.1 リソグラフィ技術の変遷
• 1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
• 1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
• 1.4 次世代リソグラフィ技術の動向

2. EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例

• 2.1 電子ビームリソグラフィの位置づけ
• 2.2 電子ビームの散乱と阻止能
• 2.3 電子線レジスト
  • 2.3.1 電子線レジストの種類
  • 2.3.2 化学増幅型レジストの酸発生機構
  • 2.3.3 ラインエッジラフネス（LER）の原因の解明
  • 2.3.4 反応機構に基づいたEBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト

3. EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例

• 3.1 EUVリソグラフィの基礎
• 3.2 EUVリソグラフィの現状と課題
• 3.3 EUVレジスト
  • 3.3.1 EUVレジストの種類
  • 3.3.2 EUVリソグラフィ用レジスト材料の要求特性
  • 3.3.3 EUV化学増幅型レジストの反応機構とEBレジスト設計指針との違い
  • 3.3.4 EUV化学増幅型レジストの問題点
• 3.4 EUVメタルレジスト開発
  • 3.4.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
  • 3.4.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
  • 3.4.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
  • 3.4.4 メタルレジスト材料の性能評価
  • 3.4.5 セラミックスレジストの性能評価
• 3.5 次世代EUVリソグラフィ（High-NA、Hyper NA, EUV-FEL、Beyond EUV）の技術動向と今後の展望

4. ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向

• 4.1 ブロック共重合体の基礎
• 4.2 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
• 4.3 新規ブロック共重合体の合成と評価

5. ナノインプリントリソグラフィ技術の現状と動向

• 5.1 ナノインプリントリソグラフィ技術の基礎
• 5.2 ナノインプリントリソグラフィ技術の現状と動向

6. おわりに

□ 質疑応答 □