「EUVリソグラフィー」と「次世代リソグラフィ」の 2セミナーセット申込みページ
「EUVリソグラフィー」と
「次世代リソグラフィ」
2セミナーセット
半導体微細加工の最前線を学ぶ！EUV技術から次世代技術まで徹底解説
12/18（木）10:30～16:30
12/23（火）13:00～17:00
このセミナーの3つのポイント
EUV技術の基礎から最新動向
EUV光源、光学系、レジスト、マスク技術など基盤技術を網羅的に解説
次世代リソグラフィ技術
High-NA、Beyond EUV、メタルレジストなど最先端技術の動向を詳解
第一線の研究者が講師
兵庫県立大学と量子科学技術研究開発機構の第一線研究者から直接学べる
開催日時
1日目：12月18日（木）10:30～16:30
2日目：12月23日（火）13:00～17:00
配信方式
ZoomによるLive配信
2日間とも
受講料（税込）
77,000円
E-Mail案内登録価格: 73,150円
配布資料
1日目：製本テキスト
2日目：PDFデータ
特別価格のご案内
2名同時申込
77,000円
2名ともE-Mail案内登録必須
1名あたり38,500円
3名同時申込
115,500円
3名ともE-Mail案内登録必須
※4名以上も1名追加ごとに38,500円
EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と課題解決策および今後の展望
2025年12月18日（木）10:30～16:30
兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 次世代EUVL寄附講座 PI・特任教授 渡邊 健夫 氏
セミナー趣旨
極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は30年の開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。一方で、2 nm node以降のロジックデバイス向けのEUVL技術について多くの技術課題を抱えています。EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。
得られる知識・技術
極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。
プログラム
はじめに
- IoTおよびAIに期待すること
- 半導体市場
- 半導体国際ロードマップから読み取れること
- 半導体微細加工技術の必要性
- 今後の半導体技術動向と市場との関係
- 今後の半導体技術に期待すること
リソグラフィー技術
- リソグラフィー技術の変遷
- 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
- EUVリソグラフィーとは（EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要）
兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
- 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
- ニュースバル放射光施設の紹介
EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
- レジスト材料プロセス技術
- マスク欠陥技術
- ペリクル技術
- 光源技術
次世代EUVリソグラフィー
- Hyper NA
- Beyond EUV（EUVリソグラフィーの短波長化）
日本の半導体技術の過去、現在、今後
日本の半導体技術の覇権に重要な要素
まとめ
□質疑応答□
次世代リソグラフィ技術の最新動向と今後の展望
～EUVメタルレジストなど～
2025年12月23日（火）13:00～17:00
国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所
先端機能材料研究部 プロジェクトリーダー（上席研究員） 山本 洋揮 氏
セミナー趣旨
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において3次元微細加工技術と並んで極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NAEUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が検討されている。本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、近年活発に研究開発がなされている次世代リソグラフィ技術におけるそれぞれの原理、技術動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。
プログラム
はじめに
- リソグラフィ技術の変遷
- EUVリソグラフィの現状と課題
- EUVリソグラフィレジスト評価システム
- 次世代リソグラフィ技術の動向
EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
- 電子ビームリソグラフィの位置づけ
- 電子ビームの散乱と阻止能
- 電子線レジスト（種類、化学増幅型レジストの酸発生機構）
- ラインエッジラフネス（LER）の原因の解明
- 反応機構に基づいたEBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト
EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
- EUVリソグラフィの基礎
- EUVリソグラフィの現状と課題
- EUVレジスト（種類、要求特性、反応機構、問題点）
- EUVメタルレジスト開発
- EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
- 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズム
- メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
- メタルレジスト材料の性能評価
- セラミックスレジストの性能評価
- 次世代EUVリソグラフィ（High-NA、Hyper NA、EUV-FEL、Beyond EUV）の技術動向と今後の展望
ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
- ブロック共重合体の基礎
- 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
- 新規ブロック共重合体の合成と評価
ナノインプリントリソグラフィ技術の現状と動向
- ナノインプリントリソグラフィ技術の基礎
- ナノインプリントリソグラフィ技術の現状と動向
おわりに
□質疑応答□
このセミナーで得られること
体系的な知識
EUV技術の基礎から次世代技術まで、2日間で体系的に学習できます
最新技術動向
High-NA、Beyond EUV、メタルレジストなど最先端の技術動向を把握
実用化の視点
研究開発の現場から実用化・普及の可能性まで実践的に理解できます
課題解決手法
現在の技術課題とその解決策について具体的に学べます
こんな方におすすめ
半導体製造に携わる技術者・研究者
リソグラフィ技術の基礎を学びたい方
EUV技術の最新動向を知りたい方
次世代半導体技術に関心のある方
レジスト材料開発に携わる方
半導体装置・材料メーカーの営業・企画担当者
配布資料について
1日目
製本テキスト
開催日の4・5日前に発送予定。開催直前にお申込みの場合、セミナー資料の到着が間に合わないことがございます。Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
2日目
PDFデータ（印刷可・編集不可）
印刷物の送付はありません。開催2日前を目安に、S&T会員のマイページよりダウンロード可となります。
お問い合わせ
株式会社イーコンプレス 担当：丁田
〒630-0244 奈良県生駒市東松ヶ丘1-2 奥田第一ビル102
