12月252025

【オンデマンド配信】次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

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セミナー概要

視聴期間

申込日から10営業日後まで（期間中は何度でも視聴可）
2025年12月25日（木）23:59まで申込み受付中

収録日

2025年9月29日（月）

映像時間

2時間52分

受講料

49,500円（税込）
※E-Mail案内登録価格: 46,970円

このセミナーで学べること

📊

全体像の把握

次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較。電動化社会を支える材料別戦略を一挙解説！

🔬

材料特性の理解

SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説

🚀

産業戦略の提言

今後日本が取るべき技術戦略と復活の鍵についても提言。初学者にもわかりやすい構成

講師紹介

山本秀和氏

グリーンパワー山本研究所　所長

専門: 半導体デバイス、半導体結晶

経歴:

元千葉工業大学教授
元三菱電機パワーデバイス開発部長

プログラム内容

１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業

1.1　パワーエレクトロニクスの重要性
1.2　パワーデバイスの用途と産業構造

２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史

2.1　パワーデバイスの構造と要求性能
2.2　Siパワーデバイスの高性能化

３．SiCパワーデバイスの優位性と課題

3.1　SiCパワーデバイスの優位性
3.2　SiCパワーデバイスの課題

４．GaNパワーデバイスの優位性と課題

4.1　GaNパワーデバイスの優位性
4.2　GaNパワーデバイスの課題

５．Ga₂O₃パワーデバイスの優位性と課題

5.1　Ga₂O₃パワーデバイスの優位性
5.2　Ga₂O₃パワーデバイスの課題

６．パワーデバイスの将来展望

6.1　パワーデバイス業界の動向
6.2　日本のパワーデバイスの地位低下と復活

こんな方におすすめ

✓ パワーエレクトロニクス製品の開発者

✓ パワーデバイスの開発者・管理者

✓ パワーデバイス営業担当者

✓ 次世代半導体技術に関心のある方

✓ 研究・開発・事業企画に携わる方

得られる知識

パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造について、包括的な理解が得られます。Siデバイスの性能向上の限界、ワイドギャップ半導体（SiC、GaN、Ga₂O₃）の特性と量産化課題、さらに日本のパワーデバイス産業復活への戦略まで、実務に活かせる知識を習得できます。