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半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化 およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向






半導体用レジストセミナー ~EUVリソグラフィ技術・材料の最新動向~

イーコンプライアンス

技術者のための専門セミナー

半導体用レジストセミナー

~基礎からプロセス最適化、EUVリソグラフィの最新動向まで~

次世代リソグラフィ技術とレジスト材料の最新開発動向

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セミナー概要

半導体デバイスの微細化に伴い、リソグラフィ技術がますます重要となっています。本セミナーでは、レジスト材料の基礎原理から最新のプロセス最適化手法、さらに量産段階へ進むEUVリソグラフィ技術の課題と展開、PFAS規制が材料開発に与える影響など、実践的で最新の知識を習得できます。

第1部ではレジスト材料・プロセスの評価について、光化学反応の基礎から密着性、現像特性、プロセス最適化の具体例までを詳細に解説します。第2部ではEUVリソグラフィの歴史と反応機構、EUV特有の課題であるストカスティック因子、メタルレジストの可能性、そしてPFAS規制とPFASフリー材料の開発動向について紹介します。

基礎から最新技術・規制動向までを一日で習得でき、若手研究者から実務担当者まで幅広く役立つ内容です。

セミナー詳細情報

開催日時

2026年3月17日(火)
10:30~16:30

開催形式

ライブ配信 or アーカイブ配信
(Zoom ウェビナー)

受講料(税込)

55,000円
※複数割引あり
1名:42,020円~

セミナー構成

2部制
第1部:10:30~14:30
第2部:14:45~16:30

特別割引情報

  • 2名同時申込:2名で55,000円(1名あたり27,500円)
  • テレワーク応援:1名受講で44,000円(42,020円※E-Mail案内登録時)
  • 半導体産業応援(3名以上):1名あたり24,200円
  • ※E-Mail案内登録が必須です

講師紹介

堀邊 英夫(ほりべ ひでお)氏

大阪公立大学 大学院工学研究科 教授 博士(工学)

ご専門:

高分子物性(フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性)

所属:

高分子化学研究グループ(化学バイオ工学分野)

セミナー担当部分:

【第1部】レジスト材料・プロセスの評価(10:30~14:30)

藤森 亨(ふじもり とおる)氏

株式会社日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 主任技師

ご専門:

有機化学、有機合成化学、リソグラフィ材料とプロセス

職務:

MNCプログラムコミッティ パターンマテリアルズセクションヘッド
IWAPS International Advisory Committee Members
JJAP, ACS, JVST 論文審査官

セミナー担当部分:

【第2部】EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響(14:45~16:30)

講演内容

【第1部】10:30~14:30
「レジスト材料・プロセスの評価」
大阪公立大学 教授 堀邊 英夫 氏

1. 半導体とレジストについて

  • 1.1 半導体の微細化
  • 1.2 電子デバイスの製造工程
  • 1.3 レジスト解像度とレジスト材料の変遷
  • 1.4 半導体プロセスにおける各種レジスト
  • 1.5 レジストに要求される特性

2. レジストの基本原理

  • 2.1 レジストの基本原理(光化学反応)
  • 2.2 レジストの現像特性(溶解性)
  • 2.3 リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
  • 2.4 i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
  • 2.5 KrF用、ArF用レジスト(化学増幅型)
  • 2.6 レジストの解像度向上

3. レジストとSi基板との密着性について

  • 3.1 レジストの密着性の向上
  • 3.2 HMDSの感度特性への影響

4. ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について

  • 4.1 レジストの現像特性の評価
  • 4.2 レジストの分子量と溶解特性の関係
  • 4.3 レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
  • 4.4 プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
  • 4.5 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価

□質疑応答□

【第2部】14:45~16:30
「EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響」
株式会社日立ハイテク 藤森 亨 氏

1. リソグラフィ微細化の歴史

  • 1.1 リソグラフィ概要
  • 1.2 露光波長短波化による微細化の歴史
  • 1.3 それをささえるフォトレジスト材料の進化

2. EUVリソグラフィ

  • 2.1 歴史、反応機構の特徴
  • 2.2 EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か?
  • 2.3 化学増幅型レジストによる高性能化
  • 2.4 メタルレジストとは?その特徴と例

3. PFAS規制の影響

  • 3.1 PFAS規制とは
  • 3.2 PFAS規制のレジスト材料への影響
  • 3.3 PFAS freeレジストの開発動向

□質疑応答□

重要な注意事項

配信方法について

  • ライブ配信:2026年3月17日(火)10:30~16:30(Zoom ウェビナー)
  • アーカイブ配信:2026年4月3日(金)まで受付(視聴期間:4月3日~4月16日)
  • 受講方法・接続確認に関しては、別途ご案内いたします。

配布資料について

  • 製本テキストを開催日の4~5日前に発送予定
  • 開催4営業日~前日のお申込みの場合、テキスト到着が開講日に間に合わない可能性があります
  • Zoom上ではスライド資料を表示するため、セミナー視聴には差し支えありません

重要な確認事項

  • 講義中の録音・撮影はご遠慮ください
  • 参加者全員のE-Mail案内登録が割引適用の必須条件です
  • テレワーク応援キャンペーンと半導体産業応援キャンペーンは併用できません

その他のお知らせ

  • 対象:レジスト材料研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方
  • 受講申込者が必要定員に満たないセミナーは中止・延期させていただく場合があります

半導体リソグラフィ技術の最新動向を習得しましょう

次世代デバイス開発に不可欠なレジスト技術とEUVリソグラフィの最新知識を、業界の第一線で活躍する専門家から直接学べる貴重な機会です。

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お問い合わせ

株式会社イーコンプレス

担当:丁田

住所:〒630-0244 奈良県生駒市東松ヶ丘1-2 奥田第一ビル102

電話:

050-3733-8134

FAX:

📠 03-6745-8626

メール:

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