【オンデマンド配信】 次世代パワーデバイス開発の最前線 ～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～
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セミナー概要
セミナーNo.
O251162
配信形式
オンデマンド配信
申込日から10営業日後まで視聴可能
映像時間
2時間52分
期間中は何度でも視聴可
受講料
46,970円（税込）
※E-Mail案内登録価格
このセミナーについて
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。
SiC、GaN、Ga₂O₃は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性はSiデバイスを凌駕します。しかし結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高いなど、量産化には多くの課題があります。
本セミナーでは、次世代パワーデバイス開発の全体像を材料別に整理・比較し、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに日本のパワーデバイス復活への有り方について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
講師紹介
山本 秀和 氏
グリーンパワー山本研究所 所長
経歴
- 元 千葉工業大学教授
- 元 三菱電機パワーデバイス開発部長
専門分野
半導体デバイス、半導体結晶、パワーエレクトロニクス、ワイドギャップ半導体材料（SiC、GaN、Ga₂O₃）、デバイス設計と量産課題
研究専門性
- Siパワーデバイスの高性能化と限界
- SiC・GaN・Ga₂O₃の結晶特性と物性評価
- パワーデバイス量産化の課題と解決策
- 日本の半導体産業戦略と市場動向
メールアドレス掲載あり
講師へのご質問等は、セミナー申込時に講師メールアドレスをお知らせします。
プログラム内容（全2時間52分）
1. パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
- 1.1 パワーエレクトロニクスの重要性
- 1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
2. パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
- 2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
- 2.2 Siパワーデバイスの高性能化
3. SiCパワーデバイスの優位性と課題
- 3.1 SiCパワーデバイスの優位性
- 3.2 SiCパワーデバイスの課題
4. GaNパワーデバイスの優位性と課題
- 4.1 GaNパワーデバイスの優位性
- 4.2 GaNパワーデバイスの課題
5. Ga₂O₃パワーデバイスの優位性と課題
- 5.1 Ga₂O₃パワーデバイスの優位性
- 5.2 Ga₂O₃パワーデバイスの課題
6. パワーデバイスの将来展望
- 6.1 パワーデバイス業界の動向
- 6.2 日本のパワーデバイスの地位低下と復活
受講料・各種割引制度
2名同時申込で1名無料
E-Mail案内登録必須
2名で49,500円
1名あたり定価半額の24,750円
※同一法人内による2名同時申込みのみ適用
※3名以上の場合は1名あたり定価半額
テレワーク応援キャンペーン
1名受講限定
37,840円（税込）
本体34,400円 + 税3,440円
※1名様でオンライン配信を受講される場合
半導体産業応援キャンペーン
3名以上のお申込みで
1名あたり22,000円（税込）
本体20,000円 + 税2,000円
※受講者全員のE-Mail案内登録必須
※3名以上での申込み時に適用
定価
49,500円（税込）
本体45,000円 + 税4,500円
受講申込例
- 1名で受講の場合：37,840円（税込）※テレワーク応援キャンペーン適用
- 2名で受講の場合：49,500円（税込）※2名同時申込で1名分無料：1名あたり24,750円
- 3名で受講の場合：66,000円（税込）※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円
- 4名で受講の場合：88,000円（税込）※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円
配布資料
PDFテキスト（印刷可・編集不可）
申込み日から弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
視聴方法
- 申込み日から10営業日後まで視聴可能
- 期間中は何度でも視聴できます
- マイページから視聴用リンクにアクセスして視聴します
その他のご注意
- WEBセミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします
- 講師メールアドレスの掲載があります（ご質問等はメールでお問い合わせください）
お問い合わせ
株式会社イーコンプレス
丁田
〒630-0244 奈良県生駒市東松ヶ丘1-2 奥田第一ビル102
