セミナー概要

エッチングガスの電子物性と解離過程について、計算化学を用いた最新の解析知見をもとに解説するセミナーです。新規エッチングガスの開発とプロセス最適化に役立つ知見を得られます。

習得できる知識

• プロセスガスの解離過程（イオン化、励起、電子付着解離）
• 計算化学による未踏領域への知識
• 新規エッチングガスの提案とプロセスへの応用

プログラム

• 1. プラズマ生成の基礎 — 負イオンおよびラジカルの計測とプラズマシミュレーション
• 2. 計算化学の概要 — 密度汎関数法とab initio法、各種計算方法の優位性
• 3. 計算化学で明らかになったプロセス — Siエッチングの酸素・窒素添加効果、イオン・ラジカル生成機構
• 4. 一次解離過程と生成物 — メタン系・エタン系フッ化物、C3F6～c-C5F8
• 5. 開発されたエッチング技術 — 窒化膜の高選択比エッチング、NO+F2反応
• 6. 新規エッチングガスの提案 — CxHyFz化合物、CF3NO、CF3NH2等
• 7. 今後の研究課題 — 負イオン形成機構と計測技術

講師

開催情報

開催日時

2026年4月15日（水）10:30～16:30

受講料

55,000円（税込）

主催

サイエンス＆テクノロジー

配布資料

製本テキスト（開催日の4、5日前に発送予定）

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