セミナー概要

AIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化（xEV）の加速に伴い、パワーデバイスの重要性がますます高まっています。SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高める中、シリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となっています。

本セミナーでは、パワエレ・パワーデバイスの基礎から、シリコン、IGBT、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術動向、市場予測、実装技術までを俯瞰的に解説します。

プログラム

• 1. パワーエレクトロニクスとは：パワーデバイスの種類・基本構造・適用分野、AI/xEV向けトピックス
• 2. シリコンパワーMOSFET・IGBTの進展と課題：市場動向、特性改善技術、実装技術
• 3. SiCパワーデバイスの現状と課題：SiC-MOSFETの勝ち筋、コストダウン技術、信頼性向上
• 4. GaNパワーデバイスの現状と課題：GaN-HEMT構造、ノーマリオフ化、高耐圧化動向
• 5. 酸化ガリウムパワーデバイス：Ga₂O₃の特徴と開発状況
• 6. SiC実装技術の進展：銀・銅焼結接合、モジュール技術
• 7. まとめ・質疑応答

講師

受講対象

• パワーエレクトロニクスに関わる技術者
• パワーデバイスの開発・設計に携わる方
• AIサーバやxEVの電源開発に興味のある方
• SiC/GaN材料・プロセス技術に関心のある方
• パワー半導体の市場動向を把握したい方