セミナー趣旨

極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は30年の開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。一方で、2 nm node以降のロジックデバイス向けのEUVL技術について多くの技術課題を抱えています。EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。

得られる知識・技術

極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。

セミナー趣旨

フォトレジスト材料は、ポジ型、ネガ型、化学増幅型、非化学増幅型などとして分類され、i線、G線、KrF、ArF、EB、およびEUV露光用レジスト材料として活用されています。高感度化をすること、すなわち、露光量を少なくさせることは、短時間でパターニング処理を可能にし、生産性を上げることを可能にします。しかし、それだけではなく、レジストパターンの解像性を上昇させ、レジストパターンのラフネスの改善にも大きく貢献することになります。

次世代レジストシステムとして、EUV露光システムが実用化段階に入っていますが、最も研究開発が必要とされているのは、EUV用のレジスト材料の開発です。現在のところ、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるとされるレジスト材料は未だありません。新しいレジスト材料の開発は、様々なレジスト特性を評価検討する必要がありますが、まずは少ない露光量でパターニングが可能であること、すなわち高感度であることが最優先です。

本セミナーにおいて、露光システムに対応したレジスト材料の分子設計指針から、最新のEUV用レジスト材料の開発動向、次世代の分子設計指針まで解説します。