背景

最先端半導体プロセスにおけるドライエッチング技術の位置づけと重要性について解説します。

プラズマ科学の基礎

ドライエッチングの基礎となるプラズマ物理学の原理について詳しく解説します。

代表的なプラズマプロセス装置

実際の半導体製造で使用される各種プラズマプロセス装置の特徴と動作原理を学びます。

反応性イオンエッチング（RIE）の基礎

• 4.1 プラズマ表面相互作用
• 4.2 表面帯電効果
• 4.3 シリコン系材料エッチング反応機構
• 4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
• 4.5 高アスペクト比（HAR）エッチング概要

プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD）の基礎として

ALEの理解に必要な、プラズマCVDおよびALDプロセスの基礎について解説します。

ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として

• 6.1 熱ALD
• 6.2 プラズマ支援（PA-）ALD

ALEプロセスの概要と最新技術動向

• 7.1 PA-ALE（プラズマ支援原子層エッチング）
• 7.2 熱ALE：リガンド交換
• 7.3 熱ALE：金属錯体形成

半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）

• 8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD（technical computer aided design）
• 8.2 仮想計測（VM）とプロセス装置制御
• 8.3 マテリアルズ・インフォマティクス
• 8.4 プロセス開発における機械学習（ML）・AIの活用

まとめ

セミナー全体の総括と今後の技術動向について議論します。

質疑応答

講師との質疑応答の時間を設けます。