＜半導体クリーン化・歩留向上技術＞ 半導体製造ラインの汚染の実態と 歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の 基礎から最新動向まで
半導体製造ラインの汚染の実態と
歩留向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の
基礎から最新動向まで
2026年3月27日（金）10:00～17:00
会場受講 / Live配信
セミナー概要
ULSI半導体デバイスの微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル（異物微粒子）や金属不純物、表面吸着化学汚染（無機/有機汚染によるケミカル・コンタミネーション）など様々な微小な汚染物質が、半導体デバイスの歩留りや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。
本セミナーでは、歩留り向上のためのULSI半導体クリーン化技術（ウェーハ表面の汚染をいかに防止するか）について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。
講師紹介
服部 毅 氏
Hattori Consulting International 代表 / 工学博士
専門：半導体工学
ソニー株式会社に35年余り勤務し、中央研究所や半導体事業部門でシリコン基礎研究、デバイス・プロセス開発から量産ライン（九州および米国テキサス州）の歩留まり向上まで広範な業務を担当。米国スタンフォード大学留学、同集積回路研究所（現Center for Integrated Systems）客員研究員などを経験。ウルトラクリーンテクノロジー研究室長、リサーチフェローを歴任。
受賞歴
2006年、半導体洗浄技術の先駆的研究開発と実用化で、RCA洗浄発明者の名前にちなんだ「Warner Kern賞」受賞。
現職・役職
- The Electrochemical Society (ECS)フェロー・終身名誉会員
- ECS主催半導体洗浄技術国際会議組織・運営・論文委員
- IMEC主催Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS)国際会議プログラム委員
- IEEE主催半導体製造国際会議（ISSM）運営委員
最近の基調・招待講演
- 国際半導体洗浄技術シンポジウムUCPSS2023（ベルギー、2023年9月）基調講演
- セミコンコリアSEMI Technology Symposium（韓国ソウル、2024年2月）招待講演
- 2024年6月韓国漢陽大学にて集中講義
- 2025年台湾にて講義、UCPSS2025（ベルギー）チュートリアル講義
本セミナーで得られる知識
歩留向上のための理論と実践
歩留り予測モデル（歩留の科学）を理解し、実際の歩留り向上に役立つ手法を習得できます。
汚染防止の実践的ノウハウ
ウェーハへの汚染を防止しクリーンに保つための様々なノウハウを知ることができます。微小化に伴い除去が困難になった汚染を防止する技術を習得。
科学的アプローチの理解
ウェーハ表面クリーン化の視点に立つ歩留り向上に役立つクリーン化技術への科学的アプローチを習得できます。
最新技術の活用法
APC（先進プロセスコントロール）、ビッグデータ、IoT、AI（人工知能、マシンラーニング）などの活用について実例を交えて学べます。
最先端技術動向の把握
最先端の技術情報を「ホットトピック」として随所で取り上げることで、最先端クリーン化技術動向を把握できます。
初歩から最先端まで網羅
予備知識のない方にもわかりやすく、具体例を挙げて解説。予備知識のある方は知識の整理に活用できます。
ビデオ学習による現場理解
米国・台湾・日本の様々な半導体クリーンルームや製造現場（450mm～150mmウェーハライン）の実写ビデオを見て議論しながら、考える学習を行います。
最先端（300/450mmFOUP方式）半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
米国G450Cの450mmライン、米国Intel、キオクシア（旧東芝メモリ）などの300mm最先端ライン
旧来（150/200mmオープンカセット方式）半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
プログラム詳細
0. ビデオ学習～半導体製造現場・クリーンルーム見学～（講義中に随時上映）
- 0.1 最先端（300/450mmFOUP方式）半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
- 0.2 旧来（150/200mmオープンカセット方式）半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
1. 世界および日本半導体産業の最新動向概説
まずは世界半導体産業の現状と日本の置かれた位置を把握しよう
2. クリーン化の目的（なぜクリーン化すべきか？）
- 2.1 歩留向上の重要性
- 2.2 歩留の定義
- 2.3 歩留習熟曲線とその実例
- 2.4 歩留の低下要因
- 2.5 ランダム欠陥・固定欠陥
- 2.6 歩留り予測モデル（歩留の科学）
- 2.7 歩留の科学を理解するための練習問題
- 2.8 ホットトピック：チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上の極意
3. クリーン化の対象（何をクリーン化すべきか？）
- 3.1 半導体の最小線幅の年代推移
- 3.2 半導体製造における空気清浄度の推移
- 3.3 ウェーハ搬送方式の推移
- 3.4 汚染発生源の推移
- 3.5 ミニエンバイロンメント（200mm SMIF/300・450mm FOUP）
- 3.6 ホットトピック：クリーンルーム不要へ向けてまったく新しい概念のクリーンルーム
- 3.7 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
- 3.8 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
- 3.9 ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
- 3.10 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
4. 半導体表面クリーン化の手法（汚染をどのように防止すべきか？）
4.1 ウェーハ表面の汚染分析手法
4.2 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
- 4.2.1 パーティクルによる様々な不良の実例
- 4.2.2 製造ラインでのパーティクルモニタリング
- 4.2.3 製造ラインでのパーティクル低減手法
- 4.2.4 半導体製造装置の主な発塵減
- 4.2.5 半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策
- 4.2.6 パーティクル沈着機構の変遷
- 4.2.7 洗浄によるパーティクル除去メカニズム
4.3 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
- 4.3.1 金属汚染のデバイスへの影響
- 4.3.2 微細化に伴う新金属材料の必要性
- 4.3.3 金属汚染防止策
- 4.3.4 金属汚染ゲッタリング策
- 4.3.5 洗浄による金属汚染除去
4.4 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
- 4.4.1 空気中のドーパント起因の不良
- 4.4.2 空気中のアンモニア起因の不良
- 4.4.3 空気中の酸起因の不良
- 4.4.4 空気中の無機化学汚染の低減防止策
4.5 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
- 4.5.1 有機汚染のデバイス・プロセスへの影響
- 4.5.2 リソグラフィにおける有機汚染の分解
- 4.5.3 有機汚染によるレンズやミラーの曇り
- 4.5.4 クリーンルームにおける有機汚染の発生源
- 4.5.5 ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生
- 4.5.6 ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策
- 4.5.7 有機汚染の除去メカニズム
- 4.5.8 ウェーハの保管方式の変遷
4.6 ホットトピック
発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点とFOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
4.7 ホットトピック
FOUP内部の雰囲気分析
5. まとめ
- 5.1 クリーン化技術のパラダイム転換
- 5.2 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望
- 5.3 歩留まり向上手法(SPC, APC, FDC,YMSなど)へのビッグデータ、IoT (モノのインターネット)、AI(人工知能、マシンラーニング)、仮想計測（VM）など最新手法の活用
- 5.4 将来に向けた提案：クリーンルームやFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式
質疑応答
開催要項
開催日時
2026年3月27日（金）10:00～17:00
会場受講
東京・品川区大井町 きゅりあん 4F 第1特別講習室
Live配信
2026年3月27日（金）10:00～17:00
受講料（税込）
55,000円（E-Mail案内登録価格 52,250円）
※特別キャンペーン【1名受講限定】44,000円（E-Mail案内登録価格 42,020円）
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お問い合わせ
株式会社イーコンプレス 担当：丁田
〒630-0244 奈良県生駒市東松ヶ丘1-2 奥田第一ビル102
