＜ＡＩサーバ用電源ならびに自動車の電動化に向けた＞ シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向
シリコン、SiC・GaN
パワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向
AI サーバ用電源ならびに自動車の電動化に向けた
パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向
半導体産業応援キャンペーン対象
2名申込で1名無料
AIサーバとxEV の時代へ
次世代パワーデバイスの最新技術を完全解説
Si-MOSFET・IGBT、SiC・GaN、酸化ガリウムデバイスの現状と課題、
実装技術から市場予測までを、最新情報に基づいて解説
セミナーの特徴
AI・xEV時代の必須知識
AIサーバ電源とxEV向けパワーデバイスの最新動向を、業界をリードする専門家が解説します。
全デバイス技術を網羅
Si-MOSFET・IGBT、SiC-MOSFET、GaN-HEMT、酸化ガリウムの全技術を俯瞰的に習得できます。
実装技術も詳解
デバイス設計だけでなく、SiC-MOSFETモジュール実装技術まで実用的な知識を習得。
市場予測と課題解析
各デバイスの市場予測、課題、解決策までを体系的に学べます。
講師紹介
岩室 憲幸 氏
筑波大学 数理物質系 教授
専門
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
主なご経歴
1984年 早稲田大学理工学部卒業
1998年 博士（工学）取得（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年～現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar。MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月～2013年3月 (国研)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究、量産技術開発に従事。
2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
資格・会員
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員
受賞実績
- 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞（2020年12月）
- 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞（2020年4月）
- 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞（2011年）
セミナー趣旨
2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化（xEV）の再加速に向けて大きく動いています。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めています。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となります。
鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかです。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム（Ga₂O₃）デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説します。
講演内容
1. パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-6 ノーマリーオフ・ノーマリーオン特性とはなに？
1-7 パワーデバイス開発のポイント
2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
2-6 シリコンIGBTの実装技術
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナーなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5 GaN-HEMTのノーマリーオフ化
4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6-2 銀または銅焼結接合技術
6-3 SiC-MOSFETモジュール技術
7. まとめ
質疑応答
受講料
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- 全員E-Mail案内登録必須
- 3名：72,600円、4名：96,800円
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72,600円(税込)
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121,000円(税込)
半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
※重要：割引について
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- 半導体産業応援キャンペーンは本ページからのお申込みに限り適用です。
特典・配布資料
📹 見逃し配信（アーカイブ）
ライブ配信受講に加えて、見逃し配信でも7日間視聴できます
視聴期間：2026年2月25日(水)～3月3日(火)まで
※セミナー終了後も繰り返し視聴学習が可能です
※見逃し配信のみの受講も可能です
📄 配布資料
PDFテキスト（印刷可・編集不可）
開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可
※Zoomの録画視聴用リンクはマイページからアクセス
ご注意
- 講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
- 開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
お問い合わせ
株式会社イーコンプレス
ご担当：丁田
〒630-0244 奈良県生駒市東松ヶ丘1-2 奥田第一ビル102
