ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎と プロセス最適化および最新技術動向
ALD（原子層堆積法）の基礎と
プロセス最適化および最新技術動向
～次世代半導体デバイス製造の最先端技術を基礎から学ぶ～
いつも大好評：霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説！
CVD/ALDプロセスの速度論からALDプロセス最適化へ
ALD/ALE2025国際学会の最新動向も解説
重要なご案内
⚠️ 会場受講のみ（オンラインセミナーはありません）
本セミナーは、東京・品川区きゅりあんでの会場受講となります。オンライン配信は行いませんので、ご注意ください。
お得な申込キャンペーン
複数名での申し込みがお得！
2名で申し込む場合
55,000円
（1名あたり27,500円）
※2名ともE-Mail案内登録必須
3名以上でさらに割引
3名の場合
82,500円
（1名あたり27,500円）
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4名以上も1名追加ごとに27,500円
通常の受講料
1名受講の場合
55,000円
（税込）
E-Mail案内登録で52,250円に割引
セミナー詳細情報
📅 開催日時
2026年3月9日（月）
10:30～16:30
📍 開催場所
東京・品山区大井町
きゅりあん 5F 第3講習室
💰 受講料
通常価格：55,000円（税込）
E-Mail案内登録：52,250円
📚 配布資料
製本テキスト
（当日会場でお渡しします）
🍽️ その他
昼食付
会場受講のみ
✓ 対象者
ALD技術の基礎から最新動向を学びたい方
半導体デバイス開発・製造関係者
セミナー概要
セミナー趣旨
最先端半導体集積回路の作製に必須となっているALD（Atomic Layer Deposition、原子層堆積法）は、数ナノメートル程度の極薄膜作製手法として膜厚の制御性や再現性に優れ、３次元立体構造への均一製膜なども可能であるという特徴を持っています。そのため、ULSIゲート酸化膜、メモリキャパシタ形成などに応用展開されています。
しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定はかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
本講座では、まずALDの基礎知識を養い、プロセスの最適化の指針を理解することを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
得られる知識・技術
- ALDプロセスの基本的な特徴と応用範囲の基本を習得できます
- 各種のALDプロセスの応用事例や、最先端半導体デバイスへの応用など最新の研究開発動向について学べます
- 原料ガスや反応ガス選択の指針を理解できます
- QCM（Quartz Crystal Microbalance）などの解析手法についても学習できます
- ALD/ALE2025国際学会の最新情報も得られます
セミナー講演内容（カリキュラム）
1．薄膜作製プロセス概論とALD活用への展開
- 薄膜の種類と用途
- 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス
- ALD基礎としてのCVD（Chemical Vapor Deposition）プロセス速度論とCVD活用方法
- 半導体集積回路（ULSI）の微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ
2．ALDプロセスの概要と特徴
- ALD（Atomic Layer Deposition）プロセスの概要と製膜特性
- ALDプロセスの歴史的発展
- ALDプロセスの応用事例（最先端ULSI、DRAM、3D NAND等）
- ALD装置形態と装置・材料市場
- ALD製膜可能な材料と原料ガス
- ALE（Atomic Layer Etching）（原子層エッチング）
- AS（Area Selective）-ALD（選択成長）
3．ALDプロセスの理想と現実、最適化方針
- ALD Windowとは？
- 物理吸着の影響と対策
- 反応律速の影響と対策
- 原料ガス熱分解の影響と対策
- 原料ガス脱離の影響と対策
4．ALDプロセスの高スループット化と課題
- GPC（Growth per Cycle）とCT（Cycle Time）の最適化
- GPCに対する原料ガス吸着の立体障害効果
- ALD理想特性を発現させるための条件（蒸気圧と吸着特性）
5．理想的な原料ガス開発の指針
- 蒸気圧推算の基礎
- COSMO-SAC法による蒸気圧推算
- COSMO-SAC法の修正と原料ガス蒸気圧推算結果
- ニューラルネットワークポテンシャルを利用した原子レベルシミュレーションによる原料ガス吸着特性の予測
6．QCMを用いたガス吸着特性の評価
- QCM（Quartz Crystal Microbalance）を用いたALDその場観察
- QCM（Quartz Crystal Microbalance）の基礎
- QCM測定の高精度化・高速化
- QCMによるTMA（トリメチルアルミニウム）の吸着特性評価（実例紹介）
7．ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
- 初期核発生とインキュベーションサイクル
- インキュベーションサイクルと選択成長
- 光反射を利用した初期核発生・成長のその場観察、表面処理の影響
8．ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用
- ULSI金属多層配線の課題と対策
- 高信頼性多層配線形成へのASD（Area Selective Deposition）の活用
- Co薄膜のALD成長（原料ガス吸着特性と表面反応）
- 高選択性ASD実現の基本方針
- 表面処理とALEを活用した高選択性Co-ASDプロセス
- Cu密着層・バリヤ層としてのCoW膜ALD合成
9．ALD関連学会の情報
- 応用物理学会
- ALD/ALE2025国際学会（2025年6月開催）
質疑応答・名刺交換
講師との直接の質問・議論の時間を用意しています
講師紹介
霜垣 幸浩（しもがきゆきひろ）
東京大学 大学院工学系研究科
マテリアル工学専攻 教授
専門分野
- 反応工学
- デバイスプロセス
主な研究内容
CVD/ALD法による高信頼性ULSI多層配線形成
所属学会
化学工学会・CVD反応分科会
主な受賞・表彰
2024年度化学工学会・学会賞受賞
業績題目：「化学反応を利用した薄膜形成プロセスの論理的最適化に関する研究」
講師のWebSite
講師の特徴
霜垣教授は、CVD/ALD法による薄膜形成プロセスの最適化に関する研究で国内外での高い評価を受けており、ALD/ALE国際学会（ICPT）での発表実績も豊富です。特に、化学反応工学とマテリアル工学の融合による「化学反応を利用した薄膜形成プロセスの論理的最適化」という独自の研究アプローチで、最先端のALD技術開発を推進されています。セミナーでは、基礎理論から実際のプロセス開発まで、最新の研究知見に基づいた実践的な解説が期待できます。
申し込み方法
簡単3ステップで申込完了！
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申込完了
確認メールが届いて申込完了です。セミナー前に詳細情報をお送りします
ご注意：
- 本セミナーは会場受講のみです。オンライン配信はありません
- 複数名での申し込みの場合は、キャンペーンコースを選択してください
- E-Mail案内登録をいただくと、受講料がお安くなります
- 開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがあります
- 講義中の録音・撮影はご遠慮ください
申込フォームが開きます
よくあるご質問
Q. ALD技術についての基礎知識がなくても受講できますか？
A. はい、大丈夫です。本セミナーはALD技術の基礎から最新動向まで、体系的に学習できるように設計されています。初心者向けから応用的な内容まで、段階的に進めます。
Q. 会場への行き方を教えてください
A. 本セミナーは、東京・品川区大井町の「きゅりあん」5F 第3講習室で開催されます。詳細なアクセス情報は申込後にお送りいたします。
Q. 配布資料について教えてください
A. 製本テキストを当日会場でお渡しします。セミナーの内容を網羅した資料ですので、学習に活用いただけます。
Q. 昼食はどのようなものが提供されますか？
A. 昼食はセミナー会場で提供いたします。詳細は申込後にご案内します。
Q. 複数名での申し込みを考えています
A. 複数名でのお申し込みの場合、お得なキャンペーンをご用意しています。2名で申し込みの場合は2名で55,000円（1名あたり27,500円）、3名以上で1名あたり27,500円です。申込フォームでキャンペーンコースを選択してください。
Q. セミナー受講後のサポートはありますか？
A. ご不明な点やご質問がございましたら、お気軽にお問い合わせください。別途コンサルティングサービスもご用意しています。
お問い合わせ
株式会社イーコンプレス
📍 住所
〒630-0244 奈良県生駒市東松ヶ丘1-2 奥田第一ビル102
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