12月112025

ＳｉＣパワー半導体の最新動向とＳｉＣ単結晶ウェハ製造の技術動向

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開催形式

Live配信：アーカイブ付き

★アーカイブ受講のみもOKです。

開催日時

2025年12月11日（木）

10:30～16:30

受講料（税込）

55,000円

E-Mail案内登録価格：52,250円

定価：本体50,000円＋税5,000円

特別価格

2名同時申込みで1名分無料

2名で55,000円（1名あたり27,500円）

3名以上で1名あたり24,200円

セミナーのポイント

★ SiCパワー半導体の現状・動向、製造プロセス技術まで俯瞰して徹底解説いたします。

Live受講 + アーカイブ視聴

セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。

アーカイブ視聴期間：2025年12月12日(金)～12月18日(木)

配布資料

PDFテキスト（印刷可・編集不可）

開催2日前を目安に、マイページよりダウンロード可

オンライン配信

ZoomによるLive配信

アーカイブは原則として編集は行いません

講師紹介

関西学院大学教授

主なご経歴・研究内容・専門・ご活動・受賞など

1960年、東京都生まれ。1984年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵（株）入社。同社中央研究本部第一技術研究所配属。その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務。一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事。特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド（SiC）半導体の研究開発・事業化に注力。2008年に関西学院大学教授に就任。その間、1991～1993年英国Imperial College London博士課程在学。1993年同課程修了（Ph.D.取得）。

1997年日本金属学会技術開発賞受賞
2007年日経BP技術賞受賞
2021年応用物理学会フェロー表彰受賞

セミナー趣旨

本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

修得できる知識

SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。

プログラム

※時間配分は目安です。進行状況により前後することがございます。

10:30～12:00

■SiCパワー半導体開発の現状

１．SiCパワー半導体開発の背景

1.1 環境・エネルギー技術としての位置付け
1.2 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

２．SiCパワー半導体開発の歴史

2.1 SiCパワー半導体開発の黎明期
2.2 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

３．SiCパワー半導体開発の現状と動向

3.1 SiCパワー半導体の市場
3.2 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
3.3 SiCパワー半導体関連の最近のニュース

４．SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用

4.1 SiC単結晶とは？
4.2 SiC単結晶の物性と特長
4.3 SiC単結晶の各種デバイス応用

５．SiCパワーデバイスの最近の進展

5.1 SiCパワーデバイスの特長
5.2 SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
5.3 SiCパワーデバイスのシステム応用

昼食休憩 12:00～13:00

13:00～14:30

■SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望

６．SiC単結晶のバルク結晶成長

6.1 SiC単結晶成長の熱力学
6.2 昇華再結晶法
6.3 溶液成長法
6.4 高温CVD法（ガス法）
6.5 その他成長法

７．SiC単結晶ウェハの加工技術

7.1 SiC単結晶ウェハの加工プロセス
7.2 SiC単結晶の切断技術
7.3 SiC単結晶ウェハの研磨技術

８．SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術

8.1 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
8.2 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

休憩 14:30～14:40

14:40～16:10

■SiC単結晶ウェハ製造の技術課題

９．SiC単結晶のポリタイプ制御

9.1 SiC単結晶のポリタイプ現象
9.2 各種ポリタイプの特性
9.3 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

１０．SiC単結晶中の拡張欠陥

10.1 各種拡張欠陥の分類
10.2 拡張欠陥の評価法

１１．SiC単結晶のウェハ加工

11.1 ウェハ加工の技術課題
11.2 ウェハ加工技術の現状

１２．SiCエピタキシャル薄膜成長

12.1 エピタキシャル薄膜成長の技術課題
12.2 エピタキシャル薄膜成長技術の現状

１３．SiC単結晶ウェハの電気特性制御

13.1 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
13.2 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

１４．SiC単結晶ウェハの高品質化

14.1 マイクロパイプ欠陥の低減
14.2 貫通転位の低減
14.3 基底面転位の低減

１５．まとめ

16:10～16:30

□質疑応答□

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