シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向
セミナー概要
AIデータセンター電源の高効率・大容量化と自動車電動化（xEV）の再加速に向け、パワーデバイスではSiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めています。本セミナーでは、パワーエレクトロニクスの基礎からシリコンMOSFET・IGBT、SiC/GaNパワーデバイスの最新技術動向、さらに注目の酸化ガリウムデバイスの可能性まで俯瞰的に解説します。
性能・信頼性・コストという三要素に対する新材料デバイスの市場要求への対応と、実装技術、市場予測までを網羅した実践的な内容です。
講師
岩室 憲幸 氏
筑波大学 数理物質系 教授
早稲田大学理工学部卒、博士（工学）。富士電機にてパワーデバイス研究開発に従事後、産業技術総合研究所を経て現職。IEEE Senior Member。パワー半導体設計・解析技術の第一人者。
プログラム
- パワーエレクトロニクスとは（基礎・適用分野・最新トピックス）
- 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
- SiCパワーデバイスの現状と課題（SiC-MOSFET・コストダウン技術）
- GaNパワーデバイスの現状と課題（HEMT構造・高耐圧化）
- 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
- SiCパワーデバイス実装技術の進展
- まとめ
受講について
- 開催日時
- 2026年5月21日（木）10:30～16:30
※日程変更：2月24日→5月21日 - アーカイブ
- 2026年5月22日（金）～2026年5月28日（木）
- 受講料
- 55,000円（税込）
2名同時申込で1名無料キャンペーン対象 - 配信形態
- ライブ配信＋アーカイブ配信
- 主催
- サイエンス＆テクノロジー
- 配布資料
- PDFデータ（印刷可・編集不可）
