セミナー概要

本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に近年注目を集める原子層エッチング（ALE）技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介します。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積（ALD）プロセス、および現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX）の最新研究動向についても概要を紹介します。

プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指しています。半導体プロセス技術者、プラズマプロセスに関心のある研究者、半導体製造に関わるエンジニアの方におすすめです。

講師

浜口 智志 氏
大阪大学 エマージングサイエンスデザインR³センター 特任教授・名誉教授

東京大学理学部物理学科卒業後、ニューヨーク大学にてPh.D.取得。IBM ワトソン研究所主任研究員、京都大学助教授を経て、大阪大学工学研究科教授として長年活躍。米国真空学会（AVS）プラズマ賞、米国物理学会（APS）フェローなど受賞多数。プラズマ物理学、プラズマプロセス工学の第一人者。

習得できる知識

• プラズマプロセスの基礎知識
• ドライエッチングの基礎知識
• 原子層エッチング（ALE）の基礎知識と最新技術動向

プログラム

1. 背景
2. プラズマ科学の基礎
3. 代表的なプラズマプロセス装置
4. 反応性イオンエッチング（RIE）の基礎 — プラズマ表面相互作用、表面帯電効果、シリコン系材料エッチング反応機構、金属・金属酸化物材料エッチング反応機構、高アスペクト比（HAR）エッチング概要
5. プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD）の基礎として
6. ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として — 熱ALD、プラズマ支援(PA-)ALD
7. ALEプロセスの概要と最新技術動向 — PA-ALE、熱ALE（リガンド交換）、熱ALE（金属錯体形成）
8. 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX） — プロセス数値シミュレーション、仮想計測(VM)、マテリアルズ・インフォマティクス、ML・AIの活用
9. まとめ・質疑応答

開催情報

開催日時

2026年3月2日（月）10:30～16:30

形態

ライブ配信＋アーカイブ配信

受講料

55,000円（税込） ※2名同時申込で1名無料

主催

サイエンス＆テクノロジー

講師

浜口 智志 氏（大阪大学）

配布資料

PDFデータ（印刷可・編集不可）