セミナー概要

ALD（Atomic Layer Deposition：原子層堆積法）は、半導体デバイスの微細化・高集積化において不可欠な薄膜形成技術です。本セミナーでは、ALDの基礎から応用まで体系的に学び、プロセス最適化の指針を得ることを目的としています。

CVDとの比較によるALDの特徴理解、ULSI・DRAM・3D NANDなどの最先端デバイスへの応用事例、原料ガスの選択指針とQCM（Quartz Crystal Microbalance）を用いたガス吸着特性評価、さらにはALE（原子層エッチング）やAS-ALD（Area Selective ALD）などの最新技術動向まで幅広く解説します。

対象者

半導体デバイスのプロセス開発・製造に携わる方、ALD技術に関心のある研究者・技術者、薄膜形成技術の基礎を学びたい方

習得できる知識

プログラム

1. 薄膜作製プロセス概論とALD活用への展開（薄膜の種類と用途、ドライ/ウェットプロセス、CVD基礎とプロセス速度、ULSIの微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ）
2. ALDプロセスの概要と特徴（ALD プロセスの概要と製膜特性、歴史的発展、応用事例（ULSI・DRAM・3D NAND等）、装置形態と材料市場、ALE（原子層エッチング）、AS-ALD（選択成長））
3. ALDプロセスの理想と現実・最適化方針（ALD Windowとは、物理吸着・反応律速・原料ガス熱分解・脱離の影響と対策）
4. ALDプロセスの高スループット化と課題（GPC/CT最適化、原料ガス吸着の立体障害効果、ALD理想特性を発現させるための条件）
5. 理想的な原料ガス開発の指針（蒸気圧推算の基礎、COSMO-SAC法、ニューラルネットワークポテンシャルによる原料ガス吸着特性の予測）
6. QCMを用いたガス吸着特性の評価（QCMを用いたALDその場観察、QCMの基礎、高精度化・高速化、TMA吸着特性評価の実例紹介）
7. ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長（初期核発生とインキュベーションサイクル、光反射を利用した観察と表面処理の影響）
8. ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用（課題と対策、ASD活用、Co薄膜のALD成長、高選択性ASD実現の基本方針、ALE活用プロセス、CoW膜ALD合成）
9. ALD関連学会の情報（応用物理学会、ALD/ALE2025国際学会）

開催情報

主催

サイエンス＆テクノロジー

セミナー番号

A260309

開催日

2026年3月9日（月）10:30～16:30

会場

東京都 きゅりあん 5F 第3講習室

受講料

55,000円