セミナー概要

本セミナーでは、半導体製造における化学機械研磨（CMP）技術の基礎と最新動向を解説します。CMP技術の基礎と除去メカニズムから、パワー半導体とシリコン半導体におけるCMP技術の違い、次世代半導体に向けたCMP技術の将来展望まで体系的にカバーします。

SiC基板やサファイア基板の研磨技術の動向、高効率研磨微粒子の研究状況についても紹介し、半導体製造プロセスに携わる技術者やCMP技術に関心のある研究者に最適な内容です。

主要トピック

• CMP技術の基礎と除去メカニズム
• パワー半導体とシリコン半導体のCMP技術の違い
• SiC基板・サファイア基板の研磨技術動向
• 高効率研磨微粒子の研究状況
• 半導体プロセスにおけるCMPの適用
• 次世代半導体に向けたCMP技術の将来展望

対象者

開催概要

開催日時

2026年2月27日（金）13:00～16:30

配信形式

ライブ配信 or アーカイブ配信
アーカイブ視聴：2026年3月16日～3月30日

受講料

49,500円（税込）

主催

サイエンス＆テクノロジー

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