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EUV PFAS フォトレジスト メタルレジスト リソグラフィ レジスト 半導体 密着性 微細化 現像特性

B260337:半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向

📅 2026年3月17日(火)💻 ライブ配信/アーカイブ配信💰 55,000円

セミナー概要

【第1部】レジストの基本原理から材料設計、Si基板との密着性、現像特性評価、プロセス最適化までを解説し、レジスト材料・プロセスの考え方を紹介します。

【第2部】量産適用が進むEUVリソグラフィ技術に焦点を当て、EUVレジスト特有の課題や材料開発の最新動向、メタルレジストの可能性を解説。さらにPFAS規制がレジスト材料に与える影響とPFASフリー材料の開発動向についても紹介します。

半導体レジストEUVリソグラフィPFAS微細化

こんな方におすすめ

  • レジスト材料の研究開発に携わる方
  • 半導体製造プロセスに興味のある技術者
  • PFAS規制の影響を把握したい材料メーカー担当者
  • 若手研究者やマーケティング担当の方

プログラム

【第1部】レジスト材料・プロセスの評価(10:30~14:30)

  • 半導体とレジスト ~微細化・製造工程・レジスト材料の変遷~
  • レジストの基本原理 ~光化学反応・現像特性・ポジ/ネガ型・化学増幅型~
  • レジストとSi基板との密着性 ~HMDS処理と感度特性への影響~
  • ノボラック系ポジ型レジストの現像特性 ~分子量と溶解特性・プリベーク温度~

【第2部】EUVリソグラフィ技術の最新動向(14:45~16:30)

  • リソグラフィ微細化の歴史 ~露光波長短波化・フォトレジスト材料の進化~
  • EUVリソグラフィ ~ストカスティック因子・化学増幅型・メタルレジスト~
  • PFAS規制の影響 ~レジスト材料への影響・PFASフリーレジスト開発動向~

講師

堀邊 英夫 氏 ― 大阪公立大学 大学院工学研究科 教授 博士(工学)

専門:高分子物性、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性。

藤森 亨 氏 ― 株式会社日立ハイテク 主任技師

専門:有機化学、有機合成化学、リソグラフィ材料とプロセス。MNCプログラムコミッティ パターンマテリアルズセクションヘッド。

開催情報

開催日時
【ライブ】2026年3月17日(火)10:30~16:30
【アーカイブ】2026年4月3日~4月16日
受講料
55,000円(税込)
※2名同時申込で1名無料
※1名申込:44,000円(テレワーク応援キャンペーン)
配布資料
製本テキスト(開催日の4~5日前に発送予定)
主催
サイエンス&テクノロジー
📩 お申し込みはこちら

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