O251162:【オンデマンド】次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃～
【オンデマンド配信】次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃～
セミナー概要
本セミナーでは、次世代パワーデバイス開発の全体像を材料別に整理・比較します。Si、SiC、GaN、Ga₂O₃の各パワーデバイス材料の技術比較から、量産化における課題と解決策、日本のパワーデバイス産業の現状と将来展望まで解説します。
パワーエレクトロニクス製品やパワーデバイスの開発者、パワーデバイス関連の管理者、営業担当者に最適な内容です。量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化について学べます。
主要トピック
- 次世代パワーデバイス材料（Si、SiC、GaN、Ga₂O₃）の技術比較
- パワーデバイスの量産化における課題と解決策
- SiCパワーデバイスの最新技術動向
- GaNパワーデバイスの応用と将来展望
- Ga₂O₃パワーデバイスの研究開発最前線
- 日本のパワーデバイス産業の現状と将来展望
対象者
開催概要
- 配信形式
- オンデマンド配信（2時間52分）
- 視聴期間
- 申込日から10営業日後まで（期間中は何度でも視聴可）
- 受講料
- 49,500円（税込）
- 主催
- サイエンス＆テクノロジー
