＜ＡＩサーバ用電源ならびに自動車の電動化に向けた＞ シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向
～xEV向けに採用・市場が拡大するSiCパワーモジュールで求められる技術を整理～
～高温動作・損失低減・小型化などへの対応に向けた構成材料・実装・モジュール構造技術～
開催概要
| 受講形式 | 受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】のみ【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク |
|---|---|
| 配信形式 | Zoomによるライブ配信 |
| 開催日時 | 【ライブ配信：見逃し配信付】 2026年5月21日 （木） 10:30～16:30 |
| 受講料（税込） |
55,000円 定価：本体50,000円＋税5,000円 |
| 特典 | ■ライブ配信受講に加えて、見逃し配信(アーカイブ)でも１週間視聴できます■ 【見逃し配信の視聴期間】2026年5月22日(金)～5月28日(木)まで ※このセミナーは見逃し配信付です。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 見逃し配信(アーカイブ)について 【 ライブ配信受講を欠席し、見逃し配信視聴のみの受講も可能です。 】 ※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。また録画データは原則として編集は行いません。 ※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。 |
| 配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 |
セミナー趣旨
2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化（xEV）の再加速に向けて大きく動いている。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めている。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となる。
鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム（Ga₂O₃）デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。
セミナー講演内容（プログラム）
＜ＡＩサーバ用電源ならびに自動車の電動化に向けた＞ シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向
岩室 憲幸 氏
【＜主なご経歴・研究内容など＞】
- 1984年 早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
- 富士電機株式会社に入社。
- 1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
- 1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
- 1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
- 2009 年5月-2013年3月 (国研)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
- 2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
- IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
- 著書・監修多数
- ＜受賞＞
- 1 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
- 2 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
- 3 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
- ＜専門＞
- シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
- ＜WebSite＞
- http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
- https://youtu.be/VjorIIacez0
＜得られる技術・知識＞
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-6 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
1-7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
2-6 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6-2 銀または銅焼結接合技術
6-3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
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