次世代パワー半導体とパワーデバイスの 結晶欠陥評価技術
📝本講演の概要
4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度、低損失、高温動作時の安定性など、従来の半導体材料を凌駕する特性を有しており、近年、これらを用いた次世代パワーデバイスの研究開発が急速に進展している。しかし、これらの材料は強い共有結合を持つため結晶成長が難しく、成長後の結晶中には転位などの格子欠陥が高密度で存在する。一部の格子欠陥はデバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因（いわゆるキラー欠陥）となるため、欠陥の分布や種類を正確に把握し、それらの情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックすることが極めて重要である。
本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。
✓こんな方におすすめ
- ワイドギャップパワー半導体の結晶成長と評価に携わる若手研究者
- 技術者
📋プログラム
1はじめに
1-1 パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
1-2 結晶中の欠陥
1-3 欠陥評価手法とその適用範囲
2結晶評価手法
2-1 選択性化学エッチング（エッチピット法）
2-1-1 SiCの溶融KOH+Na2O2エッチング
2-1-2 GaNのエッチピットおよびTEMによる検証
2-1-3 Ga2O3のKOH+NaOH共晶エッチングと熱リン酸処理
2-2 透過型電子顕微鏡
2-2-1 gb解析による転位バーガースベクトルの判定
2-2-2 LACBED法
2-3 多光子励起顕微鏡
2-3-1 多光子励起顕微鏡の原理
2-3-2 GaN結晶中の転位の多光子励起顕微鏡観察と3D可視化
2-4 X線回折とX線トポグラフィー
2-4-1 X線回折
2-4-2 X線トポグラフィーの原理
2-4-3 反射配置と透過配置
2-4-4 SiCのX線トポグラフィーの評価例
2-4-5 GaNのX線トポグラフィーの評価例
2-4-6 Ga2O3のX線トポグラフィーの評価例
2-4-7 AlNのX線トポグラフィーの評価例
2-5 その他の手法
3最新の研究内容
3-1 異常透過および転位の動力学コントラスト
3-2 X線トポグラフィーを用いたデバイスの評価
3-3 結晶中欠陥の三次元可視化
質疑応答
👤講師
【講師紹介】
🗓開催概要
| 開催日時 |
【ライブ配信】 2026年7月29日 （水） 10:30～16:30
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|---|---|
| 受講形式 | ライブ配信（Zoom） |
| 受講料 | 55,000円（税込） 本体50,000円＋税5,000円 |
| 配布資料 | PDFデータ（印刷可・編集不可） ※開催2日前を目安に、S＆T会員のマイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日からダウンロード可となります。 |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 |
〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅3-4-10 アルティメイト名駅1st 2階
