8月262026

次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

ライブ配信SiSi 現状

次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

～生体データを連続的・高精度に違和感なくセンシングするために～
～皮膚/生体貼付型・衣服型など未来のウェアラブルセンサに向けて～

📅 開催概要

受講形式	受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】or【アーカイブ配信】のみ
配信形式	Zoomによるライブ配信
開催日時	【ライブ配信(見逃し配信付)】 2026年8月26日（水） 13:00～16:30 【アーカイブ配信】 2026年9月11日（金）まで申込み受付（視聴期間：9/11～9/29）
受講料（税込）	49,500円定価：本体45,000円＋税4,500円
特典	ライブ配信受講者特典のご案内ライブ配信受講者には、特典（無料）として「見逃し配信」の閲覧権が付与されます。オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。 (開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます）見逃し配信視聴期間：［8/27～9/2中］を予定 ※見逃し配信は原則として編集は行いません ※ライブ配信を欠席しアーカイブ視聴のみの受講も可能です。
配布資料	PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日(9/11)からダウンロード可となります。
対象	パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者 ※初心者の受講でも問題ない
備考	※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

📚 セミナー趣旨

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。

これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。

本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。

📄 セミナー講演内容（プログラム）