パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。

これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。

本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。