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セミナー 医薬品

ALD(原子層堆積法)の基礎と プロセス最適化および最新技術動向

ALD原子層堆積法Atomic Layer Deposition
セミナー番号:A261002

ALD(原子層堆積法)の基礎と プロセス最適化および最新技術動向

~生体データを連続的・高精度に違和感なくセンシングするために~
~皮膚/生体貼付型・衣服型など未来のウェアラブルセンサに向けて~
📅 開催日
10/2 (金)
2026 / 10:30〜16:30
💻 受講形式
ライブ配信(Zoom)
💰 受講料(税込)
55,000円

📝本講演の概要

最先端半導体集積回路の作製に必須となっているALD(Atomic Layer Deposition、原子層堆積法)は、数ナノメートル程度の極薄膜作製手法として膜厚の制御性や再現性に優れ、3次元立体構造への均一製膜なども可能であるという特徴を持っています。そのため、ULSIゲート酸化膜、メモリキャパシタ形成などに応用展開されています。また、簡単な装置構成でも薄膜形成が可能であることから、各種コーティング用途にも利用されるようになりました。

しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定はかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。

本講座では、まずALDの基礎知識を養い、プロセスの最適化の指針を理解することを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

📋プログラム

<得られる知識・技術>

ALDプロセスの基本的な特徴と応用範囲の基本を習得できます。また、各種のALDプロセスの応用事例や、最先端半導体デバイスへの応用など最新の研究開発動向について学びます。その他に、原料ガスや反応ガス選択の指針や、その場観察手法として利用されているQCM(Quartz Crystal Microbalance)などの解析手法についても学習できます。

<プログラム>

薄膜作製プロセス概論とALD活用への展開

11 薄膜の種類と用途

12 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス

13 ALD基礎としてのCVD(Chemical Vapor Deposition)プロセス速度論とCVD活用方法

14 半導体集積回路(ULSI)の微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ

ALDプロセスの概要と特徴

21 ALD(Atomic Layer Deposition)プロセスの概要と製膜特性

22 ALDプロセスの歴史的発展

23 ALDプロセスの応用事例(最先端ULSI,DRAM,3D NAND等)

24 ALD装置形態と装置・材料市場

25 ALD製膜可能な材料と原料ガス

26 ALE(Atomic Layer Etching)(原子層エッチング)

27 AS(Area Selective)-ALD(選択成長)

ALDプロセスの理想と現実,最適化方針

31 ALD Windowとは?

32 物理吸着の影響と対策

33 反応律速の影響と対策

34 原料ガス熱分解の影響と対策

35 原料ガス脱離の影響と対策

ALDプロセスの高スループット化と課題

41 GPC(Growth per Cycle)とCT(Cycle Time)の最適化

42 GPCに対する原料ガス吸着の立体障害効果

43 ALD理想特性を発現させるための条件(蒸気圧と吸着特性)

理想的な原料ガス開発の指針

51 蒸気圧推算の基礎

52 COSMO-SAC法による蒸気圧推算

53 COSMO-SAC法の修正と原料ガス蒸気圧推算結果

54 ニューラルネットワークポテンシャルを利用した原子レベルシミュレーションによる原料ガス吸着特性の予測

QCMを用いたガス吸着特性の評価

61 QCM(Quartz Crystal Microbalance)を用いたALDその場観察

62 QCM(Quartz Crystal Microbalance)の基礎

63 QCM測定の高精度化・高速化

64 QCMによるTMA(トリメチルアルミニウム)の吸着特性評価(実例紹介)

ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長

71 初期核発生とインキュベーションサイクル

72 インキュベーションサイクルと選択成長

73 光反射を利用した初期核発生・成長のその場観察,表面処理の影響

ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用

81 ULSI金属多層配線の課題と対策

82 高信頼性多層配線形成へのASD(Area Selective Deposition)の活用

83 Co薄膜のALD成長(原料ガス吸着特性と表面反応)

84 高選択性ASD実現の基本方針

85 表面処理とALEを活用した高選択性Co-ASDプロセス

86 Cu密着層・バリヤ層としてのCoW膜ALD合成

ALD関連学会の情報

91 応用物理学会

92 ALD/ALE2025国際学会(2025年6月開催)

□質疑応答・名刺交換□

🗓開催概要

開催日時
受講形式 ライブ配信(Zoom)
受講料 55,000円(税込)
本体50,000円+税5,000円
配布資料 製本テキスト (当日会場でお渡しします。)
備考 ※昼食付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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株式会社イーコンプレス

〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅3-4-10 アルティメイト名駅1st 2階

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