ライブ配信SiCパワー半導体SiC単結晶SiCパワーデバイス
セミナー番号：A260771
ＳｉＣパワー半導体の最新動向と ＳｉＣ単結晶ウェハ製造の現状と展望
～xEV向けに採用・市場が拡大するSiCパワーモジュールで求められる技術を整理～
～高温動作・損失低減・小型化などへの対応に向けた構成材料・実装・モジュール構造技術～
～高温動作・損失低減・小型化などへの対応に向けた構成材料・実装・モジュール構造技術～
📅 開催日
7/31 （金）
2026 / 10:30〜16:30
💻 受講形式
Zoomによるライブ配信
💰 受講料(税込)
55,000円
📝本講演の概要
150mm口径に加えて200mm口径のSiC単結晶ウェハの市販が開始され、電動自動車（xEV）のみならず、種々の産業機器へのSiCパワーデバイスの搭載が本格化している。
パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）等のSiCパワーデバイスが製造・販売され、機器の省エネ化・高性能化に大きく貢献しているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
📋プログラム
＜得られる知識、技術＞
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。
＜プログラム＞ ※時間配分は目安です。進行状況により前後することがございます。
■SiCパワー半導体開発の現状 【10:30～12:00】
１SiCパワー半導体開発の背景
11 環境・エネルギー技術としての位置付け
12 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
２SiCパワー半導体開発の歴史
21 SiCパワー半導体開発の黎明期
22 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
３SiCパワー半導体開発の現状と動向
31 SiCパワー半導体の市場
32 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
33 SiCパワー半導体関連の最近のニュース
４SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
41 SiC単結晶とは？
42 SiC単結晶の物性と特長
43 SiC単結晶の各種デバイス応用
５SiCパワーデバイスの最近の進展
51 SiCパワーデバイスの特長
52 SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
53 SiCパワーデバイスのシステム応用
昼食休憩 【12:00～13:00】
■SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望 【13:00～14:30】
６SiC単結晶のバルク結晶成長
61 SiC単結晶成長の熱力学
62 昇華再結晶法
63 溶液成長法
64 高温CVD法（ガス法）
65 その他成長法
７SiC単結晶ウェハの加工技術
71 SiC単結晶ウェハの加工プロセス
72 SiC単結晶の切断技術
73 SiC単結晶ウェハの研磨技術
８SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
81 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
82 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
【14:30～14:40】 休憩
■SiC単結晶ウェハ製造の技術課題 【14:40～16:10】
９SiC単結晶のポリタイプ制御
91 SiC単結晶のポリタイプ現象
92 各種ポリタイプの特性
93 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
１０SiC単結晶中の拡張欠陥
101 各種拡張欠陥の分類
102 拡張欠陥の評価法
１１SiC単結晶のウェハ加工
111 ウェハ加工の技術課題
112 ウェハ加工技術の現状
１２SiCエピタキシャル薄膜成長
121 エピタキシャル薄膜成長の技術課題
122 エピタキシャル薄膜成長技術の現状
１３SiC単結晶ウェハの電気特性制御
131 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
132 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
１４SiC単結晶ウェハの高品質化
141 マイクロパイプ欠陥の低減
142 貫通転位の低減
143 基底面転位の低減
１５まとめ
□質疑応答□ 【16:10～16:30】
👤講師
👤
関西学院大学 工学部 教授
大谷 昇 氏
- ＜主なご経歴・研究内容・専門・ご活動・受賞など＞
- 1960年、東京都生まれ。1984年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵（株）入社。同社中央研究本部第一技術研究所配属。その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務。一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事。特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド（SiC）半導体の研究開発・事業化に注力。2008年に関西学院大学教授に就任。その間、1991～1993年英国Imperial College London博士課程在学。1993年同課程修了（Ph.D.取得）。
- 1997年日本金属学会技術開発賞受賞。2007年日経BP技術賞受賞。2021年応用物理学会フェロー表彰受賞。
🗓開催概要
| 開催日時 |
【ライブ配信：見逃し配信付】 2026年7月31日 （金） 10:30～16:30
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|---|---|
| 受講形式 | Zoomによるライブ配信 |
| 受講料 | 55,000円（税込） 本体50,000円＋税5,000円 |
| 配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 |
株式会社イーコンプレス
〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅3-4-10 アルティメイト名駅1st 2階
