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B260470:HfO₂系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用-不揮発性メモリ・FeFET・次世代トランジスタへの展開-

HfO₂系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用-不揮発性メモリ・FeFET・次世代トランジスタへの展開-

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